Struktura pasmowa półprzewodnika samoistnego Elektrony mogą przeskakiwać z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa, tworząc dziury elektrony jako nośniki ładunku.
Zinterpretować zależność konduktywności półprzewodnika od temperatury.
Wyznaczenie przerwy energetycznej Przerwa energii jest mierzona przez analizę przewodnictwa lub absorpcji optycznej w zależności od temperatury. k=A*e-Eg/RT
-Koncentracja nośników: Liczba nośników na jednostkę objętości -Ruchliwość nośnika: Zdolność nośników do ruchu pod wpływem pola elektrycznego -Dziura: Puste miejsce po elektronie
